삼성전자 3나노 반도체 생산!! 향후 전망은? (Feat. 삼성전자우 주가 실적 배당금)
내년 상반기 삼성전자는 세계 최초 3나노미터(nm) GAA(Gate-All-Around) 반도체 생산에 돌입하는데요, GAA는 트랜지스터의 게이트와 채널이 닿는 면을 4개로 늘린 방식으로 기존 핀펫(FinFET) 구조보다 1면을 늘려 전력 효율을 높인 고성능 반도체로 알려져 있습니다. 삼성전자는 채널을 와이어 형태에서 얇고 긴 모양의 나노시트로 대체한 MBC(Multi Bridge Channel)라는 GAA 브랜드를 갖추고 있는데요, FinFET 기반 5nm 대비 성능 30%↑, 전력 소모 50%↓, 면적 35%↓ 등 효과가 기대가 되고 있습니다. 삼성전자는 해당 구조에 최적화된 설계 인프라를 마련했는데 2.5차원(D) 및 3D 패키지 설계 솔루션, 설계 데이터를 체계적으로 관리하고 분석하기 위한 인..